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离子注入装置
特点

- 可对应300mm晶圆。
- 适用于新一代工艺(20~22nm节点)。
- 能量范围
- 最?。?.2keV
- 最大:60keV
- 量产级200eV高射速电流。
- 高速传送系统实现高产能。
- 紧凑设计。
- 实现了晶圆全方位扫描的射束和射束发散角度的均匀性,高度的射束平行性以及再现性。
- 确保极低能量下的高纯度能量。
- 极小的金属污染及交叉污染。
- 防止晶圆带电的先进等离子淋浴系统。
- 高可靠性、便于维修。
- MIND系统补正因其他工序产生的缺陷,提高整体工序的产能、成品率。
产品阵容
高电流离子注入装置系列![]() |
可实现极低能量,并具有优质射束的国际标准高电流装置。 |
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中电流离子注入装置系列![]() |
可准确控制能量、剂量、注入角度等多项参数的MC3系列 |
高能粒子注入装置系列![]() |
搭载能量范围可调整到8.0MeV的18段RF加速共振器的UHE系列。 |
有关产品的详细信息
产品相关咨询
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